高輝度、低デブリEUV光源
EUV光源TEUSは回転式金属ターゲットを使用しています。従来の液滴ターゲットと異なりプラズマ発生時に飛散するデブリの光学系への付着を防ぐことができます。
詳細は、
ISTEQ社 プラズマEUV光源TEUS
EUV光源 回転ターゲットによる高輝度・低デブリの実現
をご確認ください
EUV光源 TEUS
製品の特徴
- 飛散デブリの光学系への付着を低減
- ターゲットの高速回転により安定したターゲット面を実現
- 最大 44 mW (13.5nm±1%)の出力を実現 (TEUS S-400)
製品情報
仕様
| TEUS光源装置 | TEUS S-100 | TEUS S-200 | TEUS S-400 | |
|---|---|---|---|---|
| 主な仕様 | ||||
| レーザー平均出力 | 100 W | 200 W | 400 W | |
| 繰り返し周波数 | 25 kHz or 70 kHz (Maximum) |
50 kHz or 135 kHz (Ajustable) |
100 kHz or 200 kHz (Ajustable) |
|
| 集光可能なEUV光の立体角 | 0.05 sr | |||
| プラズマサイズ* | ≤ 60μm or ≤ 40 μm |
≤ 60μm or ≤ 45 μm |
||
| 変換効率 (in-band 13.5 nm±1%) | 2 % @2π·sr or 1.6 % @2π·sr |
2 % @2π·sr or 1.8 % @2π·sr |
||
| EUV出力 (集光角内） (after debris mitigation system in-band 13.5nm±1%) | 11 mW or 9 mW | 22 mW or 18 mW | 44 mW or 40 mW | |
| EUV輝度 (after debris mitigation system in-band 13.5nm±1%) | ≥ 80 W/mm2·sr or ≥ 140 W/mm2·sr |
≥ 160 W/mm2·sr or ≥ 280 W/mm2·sr |
≥ 310 W/mm2·sr or ≥ 500 W/mm2·sr |
|
| プラズマ安定性** | 3 % RMS | |||
| 寿命とメンテナンス | ||||
| コレクターレンズの寿命 (10%の透過率減衰) (24時間動作モード) |
メンブレン 不使用の場合 |
8 ヶ月以上 | 4 ヶ月以上 | 2 ヶ月以上 |
| メンブレン 使用の場合 |
18 ヶ月以上 | 9 ヶ月以上 | 4 ヶ月以上 | |
| メンテナンス時間 | 1日 （4ヶ月ごとの メンテナンス） |
2日 （3ヶ月ごとの メンテナンス） |
1日 （2ヶ月ごとの メンテナンス） |
|
| 稼働時間*** （24時間動作モード） | 4 ヶ月 | 3 ヶ月 | 1 ヶ月 | |
| 電源、システム寸法、重量 | ||||
| 電源 | 6.5 kW | 8.5 kW | 10.5 kW | |
| 寸法（L×W×H） | 1500×1000×1200 mm | |||
| レーザーを含む重量 | 770 kg | |||
| 施設要件 | ||||
| 使用環境のクリーン度 | ISO7 | |||
| 水冷 | 10 L/min | 15 L/min | 25 L/min | |
*:1/e2
**:レーザーの安定性に依る。
***:メンブレン交換のために2週間に1度、5分間EUV光を停止した場合
フルバンド(13.5nm±2%)の変換効率は4%@2π、2倍の輝度となります。
アプリケーション
- EUVマスクブランクスの研究、検査
- EUV用光学部品の研究、検査
- マスクおよび表面検査
- 材料科学
- ウェハ検査
技術情報
EUV光源TEUSの構造と特性
高速回転によりデブリの飛散方向をずらします。
回転スピードによるデブリの付着の違い
PDF資料ダウンロード
EUV光源 TEUSシリーズ
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