本製品は、半導体光増幅器(SOA)を使用して、低ノイズレーザーダイオードからの光を変調します。
Yb-Glass; Nd-YLFまたはNd-YAG/YVO4増幅システムの最新世代のシーディング要件を満たすように設計されたターンキーレーザーシーダーです。
2nsという短いパルス幅で動作可能であり、低ノイズが要求される精密な光学測定や通信システムなどの光パルス生成などに活用されています。
Aerodiode社のレーザーシーダーCENTRALE-Iでは6つの波長モデルから製品をご選択いただけます。
SOA変調 レーザーシーダー CENTRALE-I
製品の特徴
- 最大出力100mW（パルスモードではピーク200mW）
- 高消光比(最大75dB)
- 最小パルス持続時間 2 ns
- 6つの波長に対応（785nm、1030nm、1053nm、1064nm、1310nm、1550nm）
製品情報
仕様
780nmから1550nmまでの波長をカバーする6種類の波長モデルをラインナップしており、それぞれの波長で、CW&パルスモードタイプとパルスモードのみを選択することが可能です。
| モデル | 1 | 2 |
|---|---|---|
| 標準波長 | 780 nm | |
| 参照 | 780CENTRALEI_1 | 780CENTRALEI_2 |
| Diode seeder technology | Fabry-Pérot | |
| レーザー線幅 | 0.1nm | |
| SOAパルスモード | ON / OFF only | AWG pulse shaping |
| CW/パルスモード | CW & Pulse | パルスのみ |
| 出力電源(CW/パルス) | 50 mW / 200 mW | 100 mW |
| 消光比 （標準値） |
75 dB | 65 dB |
| 最小パルス持続時間 | 2 ns | |
| ジッタ（内部/外部トリガ） | 8 ps / 8 ps | ＜100 ps / 2ns （クロック同期で8 ps） |
| 出力ファイバ | PM780 金属保護 ＞ 3 mm FC-APC |
|
| モデル | 3 | 4 |
|---|---|---|
| 標準波長 | 1030 nm | |
| 参照 | 1030CENTRALEI_1 | 1030CENTRALEI_2 |
| Diode seeder technology | DFB | |
| レーザー線幅 | ＜ 1 MHz | |
| SOAパルスモード | ON / OFF only | AWG pulse shaping |
| CW/パルスモード | CW & Pulse | パルスのみ |
| 出力電源(CW/パルス) | 100 mW / 200 mW | 150 mW |
| 消光比 （標準値） |
75 dB | 65 dB |
| 最小パルス持続時間 | 2 ns | |
| ジッタ（内部/外部トリガ） | 8 ps / 8 ps | ＜100 ps / 2ns （クロック同期で8 ps） |
| 出力ファイバ | PM980 金属保護 ＞ 3 mm FC-APC |
|
| モデル | 5 | 6 |
|---|---|---|
| 標準波長 | 1053 nm | |
| 参照 | 1053CENTRALEI_1 | 1053CENTRALEI_2 |
| Diode seeder technology | DFB | |
| レーザー線幅 | ＜ 1 MHz | |
| SOAパルスモード | ON / OFF only | AWG pulse shaping |
| CW/パルスモード | CW & Pulse | パルスのみ |
| 出力電源(CW/パルス) | 100 mW / 200 mW | 150 mW |
| 消光比 （標準値） |
75 dB | 65 dB |
| 最小パルス持続時間 | 2 ns | |
| ジッタ（内部/外部トリガ） | 8 ps / 8 ps | ＜100 ps / 2ns （クロック同期で8 ps） |
| 出力ファイバ | PM980 金属保護 ＞ 3 mm FC-APC |
|
| モデル | 7 | 8 |
|---|---|---|
| 標準波長 | 1064 nm | |
| 参照 | 1064CENTRALEI_1 | 1064CENTRALEI_2 |
| Diode seeder technology | DFB | |
| レーザー線幅 | ＜ 1 MHz | |
| SOAパルスモード | ON / OFF only | AWG pulse shaping |
| CW/パルスモード | CW & Pulse | パルスのみ |
| 出力電源(CW/パルス) | 100 mW / 200 mW | 150 mW |
| 消光比 （標準値） |
75 dB | 65 dB |
| 最小パルス持続時間 | 2 ns | |
| ジッタ（内部/外部トリガ） | 8 ps / 8 ps | ＜100 ps / 2ns （クロック同期で8 ps） |
| 出力ファイバ | PM980 金属保護 ＞ 3 mm FC-APC |
|
| モデル | 9 | 10 |
|---|---|---|
| 標準波長 | 1310 nm | |
| 参照 | 1310CENTRALEI_1 | 1310CENTRALEI_2 |
| Diode seeder technology | DFB | |
| レーザー線幅 | ＜ 500 kHz | |
| SOAパルスモード | ON / OFF only | AWG pulse shaping |
| CW/パルスモード | CW & Pulse | パルスのみ |
| 出力電源(CW/パルス) | 50 mW / 100 mW | 100 mW |
| 消光比 （標準値） |
75 dB | 65 dB |
| 最小パルス持続時間 | 2 ns | |
| ジッタ（内部/外部トリガ） | 8 ps / 8 ps | ＜100 ps / 2ns （クロック同期で8 ps） |
| 出力ファイバ | PM1310 金属保護 ＞ 3 mm FC-APC |
|
| モデル | 11 | 12 |
|---|---|---|
| 標準波長 | 1550 nm | |
| 参照 | 1550CENTRALEI_1 | 1550CENTRALEI_2 |
| Diode seeder technology | DFB | |
| レーザー線幅 | ＜ 500 kHz | |
| SOAパルスモード | ON / OFF only | AWG pulse shaping |
| CW/パルスモード | CW & Pulse | パルスのみ |
| 出力電源(CW/パルス) | 50 mW / 100 mW | 100 mW |
| 消光比 （標準値） |
75 dB | 65 dB |
| 最小パルス持続時間 | 2 ns | |
| ジッタ（内部/外部トリガ） | 8 ps / 8 ps | ＜100 ps / 2ns （クロック同期で8 ps） |
| 出力ファイバ | PM1550 金属保護 ＞ 3 mm FC-APC |
|
図面
構成の選択
この製品は、ファイバー結合型レーザーダイオードと特殊なSOAを組み合わせ、両方を駆動するための専用電子回路を備えています。
以下の表と構成の選択肢は参考情報です。独自のCentrale-I ターンキーSOA変調シーダーの構築についてはお問い合わせください。
制御ソフトウェア
GUIソフトウェアによりすべてのパルスパラメータをコントロールする事が出来ます。
アプリケーション
- 光学測定や通信システムなどの光パルス生成
技術情報
入出力波形例
超短光パルス
内蔵パルス発生器とSOAを使用し、シーダー・レーザーダイオードからの光を外部変調することで、1ナノ秒の超短光パルスを得ることができます。
変調パルス例
SOAベースの外部変調器の電流を変調して生成した、100nsパルスの波形例です。
シーダーは1064nmの狭線幅DFBレーザーダイオード。
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