AeroDIODE - フォトダイオード
AeroDIODE × PD - ditector

シリコンフォトダイオード：Si-PD

高速・低ノイズ・高感度。ゲイン切替で幅広い光計測に対応。
(可視光領域）

AeroDiode社のシリコンフォトダイオードは、素子単体（スタンドアロン）としてのご提供に加え、切替ゲイン対応のエレクトロニクスユニットを内蔵した製品構成でもご提供することが可能で、用途に応じた最適な製品をお選び頂けます。

Si-PDシリーズは、高感度・超低暗電流・高速応答・マルチGHz帯域幅という優れた特長を持つ製品群です。フォトニクスアプリケーションにおいて最適な性能を発揮するよう設計されており、分光実験、RIN測定、微弱光測定など高度な測定システムの構築に最適です。

メーカー製品ページ :Silicon Photodiode

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製品の特徴

ユニバーサル Si フォトディテクター：ナノ秒パルスから CW まで対応
広い帯域幅：最大 3 GHz
Si PIN 検出器の波長範囲：300 nm ～ 1100 nm
超高ダイナミック入力：CW 最大100 mWまで対応
超低ノイズ：NEP 最小 9 fW/√Hz
超低暗電流：最小 10 pA
FC コネクタファイバー入力（その他コネクタはご要望に応じて対応）
SM1 および C マウントフリースペースアダプター対応
Si フォトダイオードアンプゲイン切替：最大 10⁷
速度とゲインの最適なトレードオフを実現する複数の SMA 出力
リチウム電池および DC 電源、両方の対応可能
切替式DCフィルター搭載
調整可能な閾値を備えたインターロック出力機能（安全対策に最適）
LEDオーバーロード表示

製品情報

モデル一覧アプリケーション技術情報

モデル一覧

フォトダイオード素子単体としては、ファイバーカップリング形状とフリースペース形状をラインアップしています。ファイバーカップリング Si PIN フォトダイオードは、マルチモードまたはシングルモードファイバーによる受光に対応しています。フリースペースの大口径センサーモデルは感度の向上やIR検出の拡張用途に適しており、空間的な公差も広く、セットアップが容易です。

Si-PD Model	形状	波長範囲	有効径	帯域幅	暗電流 (0V/5V)typical	推奨用途
Model 1	ファイバーレセプタクル(FCコネクタ)	400-1100nm	250µm	DC-3GHz	1pA/35pA	マルチモードファイバー(付属)での集光に最適。 FC/APCまたはFC/PCコネクタを備えたあらゆるシングルモードファイバーに対応。
Model 2	FC/APCコネクタ付きファイバーカップリング	400-1000nm	250µm	DC-2GHz	1pA/10pA(3V)	FC/APCコネクタを備えたシングルモードファイバー用途や、電子回路なしのフォトダイオードを注文した場合の接続に最適。
Model 3	フリースペース	300-1100nm	2500µm	DC-30MHz	1pA/1nA	フリースペース大口径センサーモデル。感度の向上、IR検出を拡張、光軸の調整が容易。

PD/エレクトロニクスの選択

Si-PD製品選択

Aerodiode社はフォトダイオード単体での提供だけでなく、各種仕様の電子回路も用意しており、フォトダイオードと組み合わせてご提供することが可能です。
以下の2-Stepに沿ってお選びいただけます。

1st.PDモデルの選択

1 : レセプタクル 3 GHz
2：ファイバーカップル 2 GHz
3：フリースペース 30 MHz

2nd.エレクトロニクスの選択

上記1stで選択したSiフォトダイオードに組み合わせるエレクトロニクスをお選びください。
エレクトロニクスは３種類用意しています：高速応答向けシンプルバイアス型（Version B）、切替ゲイン型（Version VG）、微弱信号向け高ゲイン型（Version VGT）。

A：Alone（エレクトロニクスの選択なし。PD単体でのご提供）
B：Bias（バイアス）
VG：Variable Gain（可変ゲイン）
VGT：Variable Gain with TIA（トランスインピーダンスアンプ内蔵可変ゲイン）
- TIA (Trans Impedance Amplifier)

エレクトロニクスバージョン	ゲイン(V/A)	概要
A 素子単体	—	お客様の電子回路に組み込むためのスタンドアロンフォトダイオード素子です。（エレクトロニクスの選択なし）
B バイアス	50	Version Bは最もシンプルなエレクトロニクスユニットで、高速応答性能を提供します。長寿命リチウム電池で駆動します（DC電源アダプターも付属）。
VG 可変ゲイン (ユーザーによる切替)	50-5×10⁵	Version VGは複数の出力を持つオールインワンの可変ゲインソリューションです。低ノイズ・高感度・高速のいずれの用途にも対応します。計測、RIN測定、スペクトラムアナライザーなど幅広いアプリケーションに最適です。ショットノイズを回避するために高光量（数十mWレベル）にも対応しています。
VGT TIA内蔵可変ゲイン (ユーザーによる切替)	10³-10⁷	Version VGT はTIA（トランスインピーダンスアンプ）を内蔵したオールインワンの可変ゲインソリューションです。複数の出力を持ち、高感度アプリケーション向けに最適化されています。ロックインアンプとの組み合わせによる超低光量検出を実現します。DCバックグラウンド除去による微弱プローブ（擬似バランス型）検出に最適です。ピコ秒応答を必要とするアプリケーションや高光量の測定には対応していません。

コンパクトな形状であらゆる実験装置に搭載可能です。
リチウム電池およびDC電源の両方に対応しています。
（電池と電源アダプタは製品に同梱）

電子機器を搭載したモデルは、様々な光学テーブル上の実験セットアップに対応しており、あらゆる台座、支柱に取り付けることができます。

画像:Free space Photodiode Model 3

製品に関するご注意

※ 製品改良のため、仕様・外観・構成等は、予告なく変更となる場合がございます。あらかじめご了承ください。

アプリケーション

分光実験
RIN測定
微弱光測定

技術情報

エレクトロニクス：入出力

AeroDIODE社のゲイン切替機能付きSiフォトディテクタは、多様な機能と複数の出力端子を備えており、用途に応じた最適な信号を得ることができる、使いやすいオールインワンソリューションです。

RIN測定例

AeroDIODE社製の超低ノイズ駆動回路およびフォトダイオードを用いた、1310 nm DFBレーザーダイオードのRIN測定例です。
フォトダイオードを標準的なノイズアナライザと併用することで、-175 dBc/Hzというバックグラウンドノイズレベルを実現できます。同様の結果は、AeroDIODE社製Siフォトダイオードでも得られます。