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AeroDIODE - フォトダイオード
AeroDIODE × PD - ditector

InGaAs フォトダイオード:InGaAs-PD

InGaAs フォトダイオード:InGaAs-PD

Aerodiode(旧 ALPhANOV)

高速・低ノイズ・高感度。ゲイン切替で幅広い光計測に対応。
(近赤外領域)

AeroDIODE社のInGaAsフォトダイオードソリューションは、フォトダイオード単体としてだけでなく、エレクトロニクスユニットの製品構成でもご提供することが可能で、用途に応じた最適な製品をお選び頂けます。

InGaAs赤外線検出器(InGaAs-PDシリーズ)は、高感度・超低暗電流・高速応答・マルチGHz帯域幅という優れた特長を兼ね備えた製品群です。 フォトニクスアプリケーションにおいて最適な性能を発揮するよう設計されており、光ファイバ増幅器、光ファイバレーザー、通信、産業用製品への組み込みに最適です。

メーカー製品ページ :InGaAs Photodiode

製品の特徴

  • ユニバーサル InGaAs IR フォトディテクター:ナノ秒パルスから CW まで対応
  • 広帯域幅:最大 10 GHz
  • InGaAs PIN 検出器の波長範囲:800 nm ~ 1700 nm
  • 超高ダイナミック入力:CW 最大 100 mW まで対応
  • 超低ノイズ:NEP 最小 0.7 fW/√Hz
  • 超低暗電流:最小 1 pA(0V バイアス時)
  • FC コネクタ ファイバー入力(その他コネクタはご要望に応じて対応)
  • SM1 および C マウント フリースペース アダプター対応
  • InGaAs フォトダイオード アンプゲイン切替:最大 107
  • 速度とゲインの最適なトレードオフを実現する複数の SMA 出力
  • リチウム電池 および DC 電源の両方に対応
  • 切替式 DC フィルター搭載
  • 調整可能な閾値付き インターロック出力機能(安全対策に最適)
  • LED オーバーロード表示

製品情報

モデル一覧

InGaAs-PD製品選択

Aerodiode社はフォトダイオード単体での提供だけでなく、各種仕様の電子回路も用意しており、フォトダイオードと組み合わせてご提供することが可能です。
以下の2-Stepに沿ってお選びいただけます。

1st.PDモデルの選択

  • 1 : レセプタクル 1.5 GHz
  • 2:ファイバーカップル 3 GHz
  • 2a:ファイバーカップル 10 GHz
  • 3:フリースペース 35 MHz
InGaAs-PD
Model
形状 製品画像 波長範囲 有効径 帯域幅 暗電流
(0V/5V)typical
推奨用途
Model
1
ファイバーレセプタクル(FCコネクタ) モデル 1 - フォトダイオード 800-1700nm 120µm DC-1.5GHz 1pA/50pA 付属のマルチモードファイバーでの集光に最適。FC/APCまたはFC/PCコネクタを備えたあらゆるシングルモードファイバーに対応。
Model
2
FC/APCコネクタ付きファイバーカップリング モデル 2 - ファイバーカップリング型フォトダイオード 800-1700nm 75µm DC-3GHz 1pA/100pA シングルモードファイバーを用いた通信、ファイバー増幅器、ファイバーレーザーの用途に最適。
Model
2a
FC/APCコネクタ付きファイバーカップリング モデル 2a - ファイバーカップリング型フォトダイオード 800-1700nm 35µm DC-10GHz 1pA/100pA 短パルス(ps/ns)専用。高感度を必要とする用途には対応していません。
Model
3
フリースペース モデル 3 - フリースペース型InGaAsフォトダイオード 800-1700nm 1000µm DC-35MHz 1pA/1nA フリースペース大口径センサーモデル。
感度の向上、光軸の調整が容易。

2nd.エレクトロニクスの選択

上記1stで選択したInGaAsフォトダイオードに組み合わせるエレクトロニクスをお選びください。
エレクトロニクスは3種類用意しています:高速応答向けシンプルバイアス型(Version B)、可変ゲイン型(Version VG)、微弱信号向け高ゲイン型(Version VGT)。

  • A:Alone(エレクトロニクスの選択なし。PD単体でのご提供)
  • B:Bias(バイアス)
  • VG:Variable Gain(可変ゲイン)
  • VGT:Variable Gain with TIA(トランスインピーダンスアンプ内蔵可変ゲイン)
    • TIA (Trans Impedance Amplifier)
エレクトロニクス
バージョン
製品画像 ブロック図 ゲイン(V/A) 概要
A
素子単体
お客様の電子回路に組み込むためのスタンドアロン フォトダイオード素子です。(エレクトロニクスの選択なし)
B
バイアス
Aerodiode-PD-electronics-ver.B.jpg Aerodiode-PD-electronics-ver.B-synoptic.jpg 50 Version Bは最もシンプルなエレクトロニクスユニットで、高速応答性能を提供します。長寿命リチウム電池で駆動します(DC電源アダプターも付属)。
VG
可変ゲイン
(ユーザーによる切替)
Aerodiode-PD-electronics-ver.VG.jpg Aerodiode-PD-electronics-ver.VG-synoptic.jpg 50-5.105 Version VGは低ノイズ・高感度・高速応答のニーズに対応した、複数の出力を持つオールインワンの可変ゲインソリューションです。計測、RIN測定、スペクトラムアナライザーなど幅広いアプリケーションに最適です。ショットノイズを回避するため、高光量(数十mWレベル)にも対応しています。
VGT
TIA内蔵可変ゲイン
(ユーザーによる切替)
Aerodiode-PD-electronics-ver.VGT.jpg Aerodiode-PD-electronics-ver.VGT-synoptic.jpg 103-107 Version VGT はTIA(トランスインピーダンスアンプ)を内蔵したオールインワンの可変ゲインソリューションです。複数の出力を持ち、高感度アプリケーション向けに最適化されています。ロックインアンプとの組み合わせによる超低光量検出を実現します。DCバックグラウンド除去による微弱プローブ (balanced-like)検出に最適です。
ピコ秒応答を必要とするアプリケーションや高光量の測定には対応していません。

コンパクトな形状であらゆる実験装置に搭載可能です。
リチウム電池およびDC電源の両方に対応しています。
(電池と電源アダプタは製品に同梱)

Si-PD用電子回路外形寸法

電子機器を搭載したモデルは、様々な光学テーブル上の実験セットアップに対応しており、あらゆる台座、支柱に取り付けることができます。

電子機器搭載シリコンフォトダイオード

画像:Free space Photodiode Model 3

製品に関するご注意

  • ※ 製品改良のため、仕様・外観・構成等は、予告なく変更となる場合がございます。あらかじめご了承ください。

アプリケーション

  • 光ファイバ増幅器
  • 光ファイバーレーザー
  • 通信
  • 産業用製品

技術情報

エレクトロニクス:入出力

Si-PD用電子回路 入出力

AeroDIODE社のゲイン切替機能付きフォトディテクタは、多様な機能と複数の出力端子を備えており、用途に応じた最適な信号を得ることができる、使いやすいオールインワンソリューションです。


RIN測定例

InGaAsと低ノイズドライバを用いた1310nmRIN測定

AeroDIODE社製 DFB(1310 nm)レーザーダイオードのRIN測定例で、AeroDIODEの超低ノイズドライバおよびフォトダイオードモデルInGaAs-PD-1-VGを使用しています。フォトダイオードを標準的なノイズアナライザと組み合わせることで、10 kHz以上において-175 dBc/Hzという低ノイズフロアを実現します。


TIA搭載モデル:低ノイズ特性(Model : InGaAs-PD-1-VGT)

InGaAs-PD応答特性

Phase noise of the PD responce with no input light
Model : InGaAs-PD-1-VGT


TIA搭載モデルは、高ゲインにおいても優れた位相ノイズ特性を発揮します。 また、バッテリー駆動モードでは、記録的な低ノイズ性能を実現します。


高速応答特性

InGaAs-PD応答特性

ファイバーカップリングのInGaAs-PDは高速応答で、数ナノ秒(ns)の短パルス測定に使用することができます。


分光感度特性

InGaAs-PDスペクトル応答特性

PIN型InGaAs半導体の典型的な分光感度特性。実際の特性はファイバーカップリングやフリースペース結合によって異なり、ここに示す値より低くなります。


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