波長
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タイプ
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電極
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blue(430nm) | GaN / sapphire | P + N up |
![]() |
説明
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- 基板:サファイア、エピタキシャル層:GaN系材料
- Nボンディングパッド電極:Au合金 - Pボンディングパッド電極:Au合金 ![]() |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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最小値
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標準
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最大値
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単位
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順方向電流(DC) | IF | 20 | mA | |||
ピーク順方向電流 | tp ≤ 50 µs, tp/T= ½ | IFM | 100 | mA |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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最小値
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標準
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最大値
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単位
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順方向電圧 | IF= 20 mA | VF | 3.5 | 3.8 | V | |
逆方向電流 | VR= 5V | IR | 1 | μA | ||
放射パワー* | IF= 20 mA | Φe | 16 | mW | ||
放射強度* | IF= 20 mA | Ie | 3.35 | mW/sr | ||
光束* | IF= 20 mA | ΦV | 0.12 | Im | ||
光度* | IF= 20 mA | IV | 32 | mcd | ||
ピーク波長 | IF= 20 mA | λp | 425 | 428 | 430 | nm |
半値幅 | IF= 20 mA | ∆λ0.5 | 15 | 30 | nm |
*TO-18ヘッダのベアチップで測定
接着フィルムのチップ、ワイヤボンドのサイドトップ付き。
可視光LEDチップ 製品一覧数百個~数千・数万個規模の大ロット対応・継続供給可能です。リストに無い波長対応など、カスタマイズも可能、ご相談ください。
型番
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波長
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チップサイズ
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光度
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放射パワー
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EOLC-430-34 | 430 nm | 330 | 16 mW |
型番
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波長
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パッケージ
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光度
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放射パワー
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指向角
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EOLS-430-392 | 430 nm | Ceramic SMD 3020 | 16 mW | 115 deg. |