波長
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タイプ
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ケース
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Violet(430nm) | GaN / sapphire | SMD3020(1208) |
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説明
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- サイズ 3.0 (W) x 2.0 (L) x 1.0 (H) mm - 回路基板:AI2O3セラミックス、シリコーン封止 - デバイスはRoHS適合 - リードフリー半田、半田パッド:金メッキ |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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値
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単位
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順方向電流 | IF | 20 | mA | |
ピーク順方向電流 | tp ≤ 100 µs, T = 1/10 | IFM | 100 | mA |
逆方向電圧 | VR | 5 | V | |
耐熱性 | RthJA | 60 | K/W | |
動作温度範囲 | Tamb | -40 to +85 | ℃ | |
保存温度範囲 | Tstg | -40 to +100 | ℃ |
静電気放電分類(MIL-STD-883)- クラス1
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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シンボル
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テストコンディション
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最小値
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標準
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最大値
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単位
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順方向電圧 | VF | IF= 20 mA | 3.5 | 3.8 | V | |
逆方向電流 | IR | VR= 5V | 1 | μA | ||
放射パワー | Φe | IF= 20 mA | 16 | 32 | mW | |
放射強度 | Ie | IF= 20 mA | 3.35 | 6.7 | mW/sr | |
光束 | ΦV | IF= 20 mA | 0.12 | 0.24 | lm | |
光度 | IV | IF= 20 mA | 32 | 64 | mcd | |
ピーク波長 | λp | IF= 20 mA | 425 | 428 | 430 | nm |
半値幅 | ∆λ | IF= 20 mA | 15 | 30 | nm |
数百個~数千・数万個規模の大ロット対応・継続供給可能です。カスタマイズも可能、ご相談ください。
型番
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波長
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パッケージ
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光度
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放射パワー
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指向角
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EOLS-430-392 | 430 nm | Ceramic SMD 3020 | 16 mW | 115 deg. |
型番
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波長
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チップサイズ
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光度
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放射パワー
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EOLC-430-34 | 430 nm | 330 | 16 mW |