波長
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タイプ
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電極
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紫外線(355nm) | AlGaN / sapphire | P + N up |
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説明
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- Sustrate:サファイア、エピタキシャル層:GaN系材料
- Nボンディングパッド電極:Au合金 - Pボンディングパッド電極:Au合金 - 放射面積:200μm×200μm - 底面積:280μm×280μm±40μm - チップの厚さ:75±10μm - ボンディングパッド電極:(各)90μm - 電極間隔:130μm |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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最小値
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標準
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最大値
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単位
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順方向電圧 | IF= 20 mA | VF | 3.2 | 3.6 | 4.2 | V |
逆方向電流 | VR= 5V | IR | 10 | μA | ||
ピーク波長 | IF= 20 mA | λp | 353 | 360 | nm | |
半値幅 | IF= 20 mA | ∆λ0.5 | 15 | nm | ||
放射パワー* | IF= 20 mA | Φe | 0.5 | 1.5 | mW |
*TO-18ヘッダのベアチップで測定
波長, nm
紫外線LEDチップ 製品一覧数百個~数千・数万個規模の大ロット対応・継続供給可能です。リストに無い波長対応など、カスタマイズも可能、ご相談ください。
型番
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波長
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チップサイズ
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光度
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放射パワー
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EOLC-355-34 | 355 nm | 280 | 1 mW |
型番
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波長
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パッケージ
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光度
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放射パワー
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指向角
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EOLD-355-525 | 355 nm | 5mm | 1 mW | 15 deg. |