波長
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タイプ
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電極
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赤外線(900nm) | InGaN/GaN | P (anode) up |
![]() Typ. 寸法(μm)、コンタクト - 金合金 |
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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値
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単位
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順方向電流(DC) | Tanb= 25°C | IF | 100 | mA |
逆方向電圧 | VR | 5 | V | |
保管および動作温度範囲 | for bare chips | Tamb | -40…+100 | °С |
保管温度範囲 | for chips on blue tape | Tstg | +5…+35 | °С |
接合部温度 | TJ | +125 | °С |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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最小値
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標準
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最大値
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単位
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順方向電圧 | IF= 20 mA | VF | 1.25 | 1.5 | V | |
逆方向電流 | VR= 5V | IR | 10 | μA | ||
放射パワー* | IF= 20 mA | Φe | 2.8 | 3.5 | mW | |
ピーク波長 | IF= 20 mA | λp | 890 | 900 | 910 | nm |
半値幅 | IF= 20 mA | ∆λ0.5 | 55 | nm | ||
スイッチング時間 | IF= 20 mA | tr, tf | 300 | ns |
*TO-18ヘッダのベアチップで測定
接着フィルムのチップ、ワイヤボンドのサイドトップ付き。
赤外線LEDチップ 製品一覧数百個~数千・数万個規模の大ロット対応・継続供給可能です。リストに無い波長対応など、カスタマイズも可能、ご相談ください。
型番
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波長
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チップサイズ
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光度
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放射パワー
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EOLC-900-17 | 900 nm | 365 | 3.5 mW |
型番
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波長
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パッケージ
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放射パワー
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指向角
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EOLD-900-525 | 900nm | 5mm | 10 mW | 20 deg. |