波長
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タイプ
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ケース
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赤外線(810nm) | AIGaAs | SMD 3838(1515) |
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説明
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- サイズ3.8(W)×3.8(L)×1.0(H)mm
- 回路基板:AlNセラミックス - RoHS適合デバイス - リードフリー半田、半田パッド:銀メッキ - 高い発光強度 |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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テストコンディション
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シンボル
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値
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単位
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順方向電流 | IF | 350 | mA | |
ピーク順方向電流 | tp ≤ 100 µs, т=1:10 | IFM | 1000 | mA |
逆方向電流 | VR= 5 V | IR | 100 | μA |
逆方向電圧 | IR=100 µA | VR | 5 | V |
保管・動作温度範囲 | Tstg | -40 to +85 | °C | |
熱抵抗 | RthJA | 10 | K/W |
Tamb = 25℃、特に指定のない限り
パラメータ
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シンボル
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テストコンディション
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最小値
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標準
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最大値
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単位
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順方向電圧 | VF | IF= 350 mA | 1.7 | 2.1 | V | |
放射パワー | Φe | IF= 350 mA | 38 | mW | ||
放射強度 | Ie | IF= 350 mA | 25 | mW/sr | ||
ピーク波長 | λp | IF= 350 mA | 800 | 810 | 820 | nm |
半値幅 | ∆λ0,5 | IF= 350 mA | 39 | nm |
半値幅 Δλ=30 nm (@ 350 mA)
手動半田付け:最大電力25 W / 3 s / 300°C
数百個~数千・数万個規模の大ロット対応・継続供給可能です。カスタマイズも可能、ご相談ください。
型番
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波長
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パッケージ
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放射パワー
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指向角
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EOLD-810-095-4 | 810nm | TO-46 | 2.2 mW | 90 deg. |
EOLD-810-525 | 810nm | 5mm | 9 mW | 20 deg. |
EOLS-810-843 | 810nm | SMD 1206 | 13.5 mW | 40 deg. |
EOLS-810-496 | 810nm | Ceramic SMD 3838 | 38 mW | 120 deg. |
型番
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波長
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チップサイズ
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光度
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放射パワー
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EOLC-810-17 | 810 nm | 365 | 3.2 mW | |
EOLC-810-21 | 810 nm | 960 | 90 mW | |
EOLC-810-25 | 810 nm | 330 | 4.5 mW | |
EOLC-810-27 | 810 nm | 365 | 3.2 mW |